В отличие от рефлектометра, параметры (Psi и Del) в спектроскопическом эллипсометре всегда получают при углах падения, отличных от нормального. За счет изменения угла падения может быть получено больше данных, что позволяет на выходе получить более достоверную модель. Изменение угла возможно как вручную, так и автоматически. AST предлагает оба варианта. Вручную угол можно менять с шагом 5 град., с помощью моторизованного гониометра — с разрешением 0.01 град. С надежными и в достаточном количестве данными можно с помощью моделирования получать множество параметров пленок, таких как толщины, оптические константы, интерфейс, пористость и даже состав. Точность моделирования зависит от используемого программного обеспечения. AST разрабатывает и использует собственное ПО TFProbe 3.X для настройки системы, измерений, анализа, моделирования, управления данными и 2D/3D графического представления данных. Вся функциональность в одном программном продукте.
SE200BM — наиболее популярная модель в серии SE. Она покрывает диапазон глубокого УФ и близкого ИК (от 250 до 1100 нм). Изменение угла падения ручное, с интервалом 5 градусов. Измерения производятся в течение считанных секунд за счет использования системы детектирования на основе матрицы. SE200BM является лучшим выбором, если требуется картирование или измерения в режиме реального времени. Интервал длин волн может быть расширен до 190 нм в качестве опции для некоторых задач, связанных с полупроводниками. В системе используется комбинированный гл. УФ и вид. ближ. ИК источник света. Возможно их использование по отдельности. На базе SE200BM возможно создание кастомизированной системы по запросу пользователя.
Особенности:
- Простота в установке
- Простота в управлении с помощью ПО на базе Windows
- Усовершенствованная конструкция оптики для лучшей производительности системы
- Источник глубокий УФ и видимого света высокой мощности для широкого спектра применений
- Система детектирования на основе матрицы, чтобы обеспечить быстрое измерение
- Измерение толщины пленки и показателя преломления вплоть до 12 слоев
- Возможность использования для мониторинга толщины и показателя преломления в режиме реального времени
- Система поставляется с полной библиотекой оптических констант
- Передовое программное обеспечение TFProbe позволяет использовать таблицу nk, аппроксимацию эффективной среды или рассеяния для каждой отдельной пленки
- Три режима управления: режим инженера, сервисный режим, режим пользователя без глубоких знаний
- Режим инженера для задания рецептов и тестирования оптических моделей
- Решение для быстрых и рутинных измерений
- Настраиваемые параметры измерений для удобства и простоты оперирования
- Полностью автоматическая калибровка и инициализация системы
- Точная юстировка положения образца, не требуется внешняя оптика
- Точная настройка высоты и наклона
- Для разных типов подложек с различной толщиной
- Доступны опции оптики и принадлежностей для расширения системы
- 2D и 3D графики и удобный интерфейс работы с данными
Конфигурация системы:
- Детектор: детекторная матрица
- Источник света: комбинированный глубокий УФ — видимый — ближний ИК высокой мощности
- Изменение угла падения: ручное
- Столик: автоматическое картирование, с Rho-Theta конфигурацией
- Программное обеспечение: TFProbe 3.3.x
Спецификация:
- Интервал длин волн: от 250 до 1100 нм
- Разрешение по длине волны: 1 нм
- Размер пятна: от 1 мм до 5 мм, изменяемый
- Угол падения: от 0 до 90 градусов
- Шаг изменения угла падения: 5 градусов
- Размер образца: вплоть до 300 мм в диаметре
- Толщина подложки: вплоть до 20 мм
- Интервал измеряемых толщин: от 0 нм до 20 мкм
- Время измерения: 1 с
- Точность: лучше, чем 0.25%
- Воспроизводимость: < 1 Å
Опции:
- Фотометрические измерения для исследований на отражение и/или прохождение
- Микропятно для измерения малых областей
- Автоматизированный гониометр
- X-Y столик для картирования
- Столик для нагревания/охлаждения
- Гониометр для вертикального крепления образца
- Расширение интервала длин волн в сторону глубокого УФ или ИК
- Сканирующий монохроматор
- Может дополняться микроспектрофотометром для работы с образцами с рисунком
Применение:
- Производство полупроводников (фоторезист, оксиды, нитриды…)
- Жидкокристаллические дисплеи (ITO, фоторезист, интервал между ячейками…)
- Криминалистика, биологические пленки и материалы
- Чернила, минералогия, пигменты, тонеры
- Фармацевтические препараты, медицинские приборы
- Оптические покрытия, TiO2, SiO2, Ta2O5…
- Полупроводниковые соединения
- Функциональные пленки в MEMS/MOEMS
- Аморфный, нано- и кристаллический Si
- Различные TCO пленки (ITO, FTO, IZO, AZO…)