Свяжитесь с нами: +7 499 350-20-60 | info@conetech.ru

Спектроскопический эллипсометр SE200BA-M300

Spectroscopic Ellipsometer SE200BA-M300 Thin Film MetrologySE200BA-M300 – версия эллипсометра SE200 с автоматическим гониометром. SE200BA покрывает диапазон глубокого УФ и близкого ИК (от 250 до 1100 нм) в стандартной конфигурации. Диапазон глубокого УФ необходим для измерения ультратонких пленок с нанометровым диапазоном толщин. Один из примеров – нативный оксид на кремниевой пластине, который имеет толщину всего лишь 2 нм. Спектроскопический эллипсометр с глубоким УФ имеет важное значение, когда пользователю необходимо измерить ширину запрещенной зоны множества материалов. Пожалуйста, свяжитесь с нами для организации онлайн демонстрации.

Особенности:

  • Простота в установке и обслуживании
  • Управляется с помощью ПО на базе Windows
  • Усовершенствованная конструкция оптики для лучшей производительности системы
  • Автоматически меняет угол падения с разрешением 0.01 градуса
  • Источник глубокий УФ и видимого света высокой мощности для широкого спектра применений
  • Система детектирования на основе матрицы, чтобы обеспечить быстрое измерение
  • Измерение толщины и показателя преломления сложных наборов слоев
  • Возможность использования для мониторинга толщины и показателя преломления в режиме реального времени
  • Система поставляется с полной библиотекой оптических констант
  • Передовое программное обеспечение TFProbe позволяет использовать таблицу nk, аппроксимацию эффективной среды или рассеяния для каждой отдельной пленки
  • Три режима управления: режим инженера, сервисный режим, режим пользователя без глубоких знаний
  • Режим инженера для задания рецептов и тестирования оптических моделей
  • Решение для быстрых и рутинных измерений
  • Настраиваемые параметры измерений для удобства и простоты оперирования
  • Полностью автоматическая калибровка и инициализация системы
  • Точная юстировка положения образца, не требуется внешняя оптика
  • Точная настройка высоты и наклона
  • Для разных типов подложек с различной толщиной
  • Доступны опции оптики и принадлежностей для расширения системы
  • 2D и  3D графики и удобный интерфейс работы с данными

Конфигурация системы:

  • Детектор: массив с покрытием глубокого УФ
  • Источник света: комбинированный глубокий УФ — видимый — ближний ИК высокой мощности
  • Изменение угла падения: автоматическое с настройкой в ПО
  • Столик: автоматическое картирование, с Rho-Theta конфигурацией
  • Программное обеспечение: TFProbe 3.3.x

Спецификация:

  • Интервал длин волн: от 250 до 1100 нм
  • Разрешение по длине волны: 1 нм
  • Размер пятна: от 1 мм до 5 мм, изменяемый
  • Угол падения: от 10 до 90 градусов
  • Разрешение изменения угла падения: 0.01 градус
  • Размер образца: вплоть до 300 мм в диаметре
  • Толщина подложки: вплоть до 20 мм
  • Интервал измеряемых толщин: от 0 нм до 30 мкм
  • Время измерения: 1 с
  • Точность: лучше, чем  0.25%
  • Воспроизводимость: < 1 Å

Опции:

  • Фотометрические измерения для исследований на отражение и/или прохождение
  • Микропятно для измерения малых областей
  • X-Y столик для картирования
  • Столик для нагревания/охлаждения для изучения кинетики
  • Гониометр для вертикального крепления образца
  • Расширение интервала длин волн в сторону глубокого УФ или ИК
  • Сканирующий монохроматор (серия SE200AA)
  • Может дополняться микроспектрофотометром для работы с образцами с рисунком

Применение:

  • Производство полупроводников (фоторезист, оксиды, нитриды…)
  • Жидкокристаллические дисплеи (ITO, фоторезист, интервал между ячейками…)
  • Криминалистика, биологические пленки и материалы
  • Чернила, минералогия, пигменты, тонеры
  • Фармацевтические препараты, медицинские приборы
  • Оптические покрытия, TiO2, SiO2, Ta2O5…
  • Полупроводниковые соединения
  • Функциональные пленки в MEMS/MOEMS
  • Аморфный, нано- и кристаллический Si
  • Тонкие пленки фотовольтаики, CdTe, CdS, CIGS, AZO, CZTS…
Translation